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  一、IGBT是一种复合管，由一只SHM(双极功率高速开关管)和一只MOS(绝缘栅型场效应管)复合而成，连接方式类似于达林顿管。其中SHM为电流控制型晶体管，MOS为电压控制型晶体管，所以称之为全控。 二、IGBT过载能力较强，功率较大。一般在IGBT的B极与E极之间还会并联一只阻尼二极管。IGBT在工作时要在G极上加一个控制信号，其门极驱动要的比较大，一般大于普通的SHM与V-MOS。

  2021-09-17